完全替換DDC 的BU‐61580 等芯片的國產(chǎn)化1553B 產(chǎn)品
中國航天時代電子公司第772 研究所（又名：北京微電子技術(shù)研究所），成立于1994 年。我們是以
系統(tǒng)集成為方向，多層次地面向用戶，研制和生產(chǎn)大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路及模塊、微波功率器件、
微機電（MEMS）器件，擁有一流的集成電路軟\硬件設(shè)計平臺、國內(nèi)領(lǐng)先的軍用集成電路封裝生產(chǎn)線、
完善的檢測和可靠性分析平臺、先進的微波與微機電器件工藝平臺。
我們的產(chǎn)品以高品質(zhì)、高性能、高可靠性、低功耗、抗輻射等優(yōu)異性能贏得了良好信譽?，F(xiàn)有員工
450 余人。其中，院士1 人，博士及博士后18 人，碩士150 余人。我們研究所具有強大的集成電路、混
合模塊、板極系統(tǒng)、微波功率器件、微機電器件的研制與生產(chǎn)能力。
B61580S3（S6）/B61581S3（S6）型1553 模塊是由航天772 所研制的，國內(nèi)首款完全兼容DDC 公司
BU‐61580S3（S6）/ BU‐61581S3（S6）的產(chǎn)品，可以直接實現(xiàn)管腳對管腳替換（Pin‐To‐Pin），即將BU‐61580S3
（S6）/ BU‐61581S3（S6）產(chǎn)品直接用對應(yīng)型號的B61580S3（S6）/B61581S3（S6）模塊替換，不必做任
何軟件或電路的更改，打破了國外廠商對該領(lǐng)域的壟斷。B61580S3（S6）/B61581S3（S6）模塊采用國內(nèi)
標準的CMOS 和BICMOS 工藝，全定制設(shè)計，工作溫度：‐55～+125℃，質(zhì)量等級為國軍標H 級,而且所有
芯片都做過老化試驗。2007 年9 月，該型產(chǎn)品通過了總裝備部電子局的鑒定評審。通過航空、航天、兵
器及空軍等二十幾家單位使用，效果良好。
主要技術(shù)指標:
特 性 符號
條 件
除另有規(guī)定外,GND=0V,‐55℃≤TA
≤～+125℃,Fin=16MHz
極限值
單位
最小 最大
輸出高電平電壓 VOH
VDD=4.5V,測試所有數(shù)字輸出端,
VIH=3.5V,IOH=-4.0mA
2.4 - V
輸出低電平電壓 VOL
VDD=4.5V,測試所有數(shù)字輸出端,
VIH=1.0V,IOH=+4.0mA
- 0.4 V
輸入高電平電壓 VIH VDD=5.0V 3.5 - V
輸入低電平電壓 VIL VDD=5.0V - 0.8 V
靜態(tài)電源電流 IDDS VDD=5.5V,測試VDD 端, - 200 mA
上升時間沿 Tr VDD=5.0V,500Ω 負載 10 100 ns
下降時間沿 Tf VDD=5.0V,500Ω 負載 20 150 ns
模擬輸出高電平電壓 VOHM
VDD=4.5V,測TX/RX-A,TX/RX-A,
TX/RX-B,TX/RX-B,管腳的輸出電平
2.0 - V
模擬輸出低電平電壓 VOLM
VDD=4.5V,測TX/RX-A,TX/RX-A,
TX/RX-B,TX/RX-B,管腳的輸出電平 - 0.8 V
B61580S3（S6）/B61581S3（S6）的器件結(jié)構(gòu)：
該器件為多電路模塊的陶瓷封裝（MCM），電路內(nèi)部集成有：數(shù)字協(xié)議控制電路、雙路總線收發(fā)器
三個模塊。電路內(nèi)部主要的邏輯模塊為：雙路收發(fā)器、完整的BC/RT/MT 多功能協(xié)議邏輯、存儲器管理邏
輯和中斷邏輯，4K×16 的靜態(tài)存儲器和處理器總線的接口邏輯。RT 地址鎖存功能是B61581 較B61580
所特有的。A、B 通道獨立控制功能是B61581S6 較B61581S3 所特有的。
航天772 所為國內(nèi)集成電路重點供應(yīng)商，擁有設(shè)計、封裝、測試、老化篩選全套設(shè)備，可以保證長
期穩(wěn)定的供貨。
北京中航昊天科技有限公司作為航天772 所北京辦事處，全面負責該產(chǎn)品的銷售工作，熱忱歡迎廣
大用戶選購我們國內(nèi)自己的、高質(zhì)量的1553B 產(chǎn)品。我們可以提供優(yōu)質(zhì)、高效的技術(shù)支持，并提供相關(guān)
的產(chǎn)品介紹、使用手冊、芯片失效分析。
聯(lián)系方式：010-64897698 13581780796 郵箱：ziranzzz@163.com 網(wǎng)址：www.1553B.cn
