供應(yīng) RA13H4452M
RA13H4452M是13-watt RF的MOSFET放大器模塊for 12.5-volt，在440-經(jīng)營(yíng)移動(dòng)收音機(jī)520-MHz范圍.電池可以直接連接到漏極增強(qiáng)型MOSFET晶體管.如果沒有門電壓(VGG進(jìn)排水=0V),只是一個(gè)很小的泄漏電流與輸入信號(hào)衰減的RF高達(dá)60 dB.輸出功率作為柵極和漏極電壓增加電流增加.隨著gate voltage around 4V (minimum), output power and
產(chǎn)品詳情商家聯(lián)系電話：86-0755-83996702
RA13H4452M是13-watt RF的MOSFET放大器模塊for 12.5-volt，在440-經(jīng)營(yíng)移動(dòng)收音機(jī)520-MHz范圍.電池可以直接連接到漏極增強(qiáng)型MOSFET晶體管.如果沒有門電壓(VGG進(jìn)排水=0V),只是一個(gè)很小的泄漏電流與輸入信號(hào)衰減的RF高達(dá)60 dB.輸出功率作為柵極和漏極電壓增加電流增加.隨著gate voltage around 4V (minimum), output power and drain current大幅增加.額定輸出功率變?yōu)榭稍?.5V（典型值）和5V（最大）.在VGG=5V,典型柵極電流1 mA.該模塊是專為非線性調(diào)頻調(diào)制，但可能也可用于線性調(diào)制通過設(shè)置靜態(tài)漏電流隨柵極電壓和輸出功率控制輸入功率.
特征
•增強(qiáng)型MOSFET晶體管(IDD≅0@ VDD=12.5V, VGG=0V)
• Pout>13W,ηT>40% @ VDD=12.5V, VGG=5V, Pin=50mW
•寬帶頻率范圍：440-520MHz
•低功耗控制電流IGG=1mA (typ)在VGG=5V
•模塊尺寸：66 x 21 x 9.88 mm
•線性操作有可能通過設(shè)置靜態(tài)漏電流同門電壓和輸出功率的控制輸入功率
